Что такое биполярный транзистор – элементарное полупроводниковое устройство, функциональность которого охватывает изменение либо усиление выходного сигнала от заряженных частиц.
Это один из типов транзисторов, состоящий из 3-х слоев, которые обеспечивают 2 «зарядных» или «дырочных» перехода (би - два перехода). Соответственно, данное устройство может быть представлено как два диодных элемента, включенных противоположно друг другу.
В простонародье биполярный транзистор пришел на смену морально и физически устаревшим транзисторам лампового вида, которые эксплуатировались очень длительное время в конструкциях телевизоров прошлого столетия.
Как видно из изображения 1 устройства данного вида имеют 3 выхода, однако, по конструктивному исполнению внешний вид отличается друг от друга. Но в схемах электрических цепей они одинаковы во всех случаях.
В зависимости от проводимости биполярные устройства разделяются на P→N→P и N→P→N устройства, которые отличаются что переносит заряженные частицы - электроны или посредством «дырок».
Устройство биполярного транзистора
Согласно типовых схем, буквой «Б» называется «База» - внутренний слой аппарата, его фундамент, который приводит преобразование или изменение токового сигнала. Стрелка в кругу показывает движение токовых зарядов в «Э».
«Э» - «Эмиттер» - внутренняя основная составляющая транзистора, предназначенный для переноса заряженных элементарных частиц в «Б».
«К» - «Коллектор» - вторая составляющая транзисторного устройства, которая производит сбор тех же зарядов, которые проходят через «Б».
Пласт «Базы» конструктивно выполняют очень тоненьким в связи с рекомбинированием заряженных частиц, которые идут через базовый слой, с составными частицами данного пласта. В то же время пласт «Коллектора» конструируют как можно шире для качественного сбора зарядов.
Принцип работы биполярного транзистора
Принцип работы биполярного транзистора для чайников опишем на образце P→N→P транзисторного аппарата на рисунке 3. Принцип работы биполярного транзистора N→P→N вида сходен переходу в прямом направлении, только в этом случае заряды - электрические частицы движутся от «К» до «Э». Для выполнения данного условия необходимо всего на всего изменить полярность подключенного напряжения.
При отсутствии внешних возмущений, внутри биполярника между его слоями будет существовать разность зарядов. На границах раздела будут установлены единые барьерные мосты, так как в это время доля «дырок» в коллекторе соответствует их численности в эмиттере.
Для точной работы биполярного транзистора переход в коллекторном пласте необходимо сместить в противоположном курсе, в то же время в эмиттере направленность перехода должна быть прямым. В этом случае режим функционирования будет активным.
Для выполнения вышеуказанных условий необходимо применить два питания, один из которых с положительным знаком соединяем с концом эмиттера, «минус» подключаем к базовому слою. Второй источник напряжения соединяем в следующем порядке: «плюс» к базовому концу, «минус» - к концу коллектора. Изобразим подключение на рисунке 4.
Под воздействием напряжения Uэ, Uк через барьеры совершается переход дырок в эмиттере №1-5 и в базовом слое электрически заряженных частиц №7,8. В данном случае величина тока в эмиттере будет зависеть от количества переходов дырок, так как их больше.
Дырки, которые перешли в базовый слой собираются у барьерного перехода. Тем самым у границы с эмиттерным слоем будет собираться массовое количество дырок, в то же время у границы с «К», концентрация их существенно ниже. В связи с этим начнется диффузия дырок к «К» и близи границы произойдет их ускорение поля «Б» и переход в «К».
При перемещении через средний слой базы дырки рекомбинируют, заряженный электрон 6 замещает дырку 5. Такое перемещение будет совершаться с увеличением плюсового заряда при переходе дырок, соответственно движение зарядов в обратном направлении будет создавать ток определенной величины, а база остается электрически нейтральной.
Число дырок, которые перешли в коллектор будет меньше числа, которые покинули эмиттер. Это значит, что электрический ток «К» будет отличаться от значения тока «Э».
Обратный переход дырок из коллектора нежелателен и снижает эффективность транзистора, потому что переход осуществляется не основными, а вспомогательными носителями энергии и зависит данный переход сугубо от величины температуры. Данный ток носит название тока тепла. По значению теплового тока судят о качестве биполярного транзистора.
На рисунке 5 схематически изобразим направление движения заряженных частиц - токов транзистора.
На основании выше изложенного напрашивается вывод: любое изменение тока в структуре слоев эмиттер - база сопровождается изменением величины тока коллектора, причем самое малое изменение «базового» тока приведет к значимой коррекции выходного коллекторного тока.
Режим работы биполярных устройств
В зависимости от величины напряжения на выводах транзистора существует 4 режима его функционирования:
- отсечка - переходов дырки - электроды не происходит;
- активный режим - приведен в описании;
- насыщение - ток базы очень велик и ток коллектора будет иметь максимальное значение и абсолютно не зависеть от тока базы, соответственно усиления сигнала не будет;
- инверсия - использование устройства с обратными ролями эмиттера и коллектора.
Достоинства и недостатки биполярных транзисторов
К достоинствам биполярных транзисторов в сравнении с аналогами относятся:
- управление электрическими зарядами;
- надежность в работе;
- устойчивость к частотным помехам;
- малые шумовые характеристики;
К недостаткам можно отнести:
- обладает малым значением входного сопротивления, из-за которого ухудшаются характеристики по усилению сигналов;
- резкая чувствительность к статике зарядов;
- схема включения предполагает присутствие 2-х питаний;
- при высоких значениях температуры возможно повреждение транзистора.
Оставить комментарий: